삼성전자가 차세대 3D D램 칩 개발에 집중하기 위해 미국 실리콘밸리에 새로운 R&D 연구소를 열었다고 밝혔다.

실리콘 밸리에 있는 DSA(Device Solutions America)가 운영하는 이 연구소는 삼성의 미국 내 반도체 생산을 감독하며, 삼성이 글로벌 3D DRAM 시장을 지속적으로 선도할 수 있도록 차세대 DRAM 제품을 개발하는 데 전념하고 있습니다.

삼성전자는 지난해 9월 업계 최초이자 최고 용량인 32Gb DDR5 D램 칩을 출시했는데, 이 칩은 12나노급 공정으로 제작돼 1TB 메모리 제품 생산이 가능해 D램 기술 부문에서 삼성전자의 리더십을 더욱 공고히 했다.

IT 홈 참고 사항: Gb는 DRAM 밀도의 단위인 G 비트를 나타내며 GB(G 바이트)와는 다릅니다. 메모리 스틱에는 여러 개의 DRAM 칩이 있고, 이러한 DRAM 입자의 조합이 랭크(메모리 블록)입니다. 일반적인 논리적 용량에는 8GB, 16GB, 32GB가 있지만 128GB 서버 수준의 메모리도 있으며 동일한 용도로 다양한 메모리를 사용합니다. DRAM 칩 수를 보면, 현재 마이크론 공식 홈페이지에 나와 있는 DDR5 SDRAM 제품은 모두 16Gb, 24Gb 제품이고, 삼성 공식 홈페이지에 올라온 DDR5 SDRAM 제품은 모두 16Gb 제품이며, SK하이닉스도 16Gb 제품입니다.

삼성전자는 2013년 세계 최초 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램 3차원 수직구조 개발을 선도한다는 목표다.

삼성전자는 지난해 10월 열린 '메모리 기술 데이' 행사에서 기존 2D 평면 구조 대신 차세대 10나노 이하 D램에 새로운 3D 구조를 도입하겠다는 계획을 발표했다. 3차원 수직구조의 한계를 극복해 칩 면적을 줄이고 성능을 향상해 칩 용량을 100G 이상 늘리겠다는 계획이다.

삼성전자는 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서 3D D램 연구 결과를 담은 논문을 발표하고 실제 반도체로 구현된 3D D램의 상세 이미지를 공개했다.

분석가들은 3D DRAM 시장이 향후 몇 년 동안 빠르게 성장하여 2028년에는 1,000억 달러에 이를 것으로 예상합니다. 삼성전자를 비롯한 주요 메모리 칩 제조사들은 빠르게 성장하는 시장을 주도하기 위해 치열한 경쟁을 펼치고 있습니다.